据悉，由中国电工技术学会主持，宁夏超导泛半导体科技有限责任公司（以下简称“宁夏超导泛科技”）牵头组织的“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”于3月15日在宁夏银川市成功举办。鉴定会上，由中国科学院院士甘子钊领衔的专家委员会对项目进行了全面而深入的评估，一致认为该项目颠覆了传统磁拉单晶技术，解决了多项硅单晶生长分析与控制等关键技术难题，具有极高的创新性和实用性。

高温超导磁控硅单晶生长技术及应用的关键在于引入高温超导磁体技术。针对高品质大尺寸硅单晶生长的技术瓶颈，科研团队历经多年攻关，成功研制出高温超导磁控硅单晶生长装备。该装备采用先进的高温超导磁体技术，实现了大尺寸硅单晶长棒快速、高稳定性、低含氧量的生长，解决了大尺寸（12英寸以上）高品质硅单晶的低成本、规模化生产难题。

据项目报告显示，宁夏超导泛科技自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术，可将硅片含氧量稳定控制在5ppma（质量百万分比）以下，硅棒头尾利用率提升4%以上，生产效率提升12%。目前，该团队已成功拉出直径达340毫米的高品质硅棒，这一成果在国际上尚属首次。

中国科学院院士甘子钊在评审中表示：“这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长，为高温超导技术产业化做了很多开创性的工作，开辟了超导技术产业化新赛道。”他特别提到，该技术对实现“双碳”目标具有战略意义，有望在全球范围内推动半导体产业的绿色转型和升级。

此外，大尺寸硅单晶长棒快速、高稳定性、低含氧量的生长，不仅解决了高品质硅单晶的低成本、规模化生产问题，还为实现全产业链降本增效、技术迭代提供了有力支撑。这一突破对于提升我国半导体产业的国际竞争力、推动科技进步和经济发展具有重要意义。